12月16日，记者从哈尔滨产业年夜学（深圳）得悉，该校集成电路学院教学宋清海、周宇团队在碳化硅集成光量子胶葛器件范畴获得新冲破，将进一步推动集成光量子信息技巧在量子收集跟量子传感范畴的利用。相干研讨结果于克日宣布在《天然·通信》上。研讨团队经由过程在绝缘体上碳化硅资料（SiCOI）上起首制备出单个电子自旋阵列，并经由过程精致操控展现了这些自旋的相关特征。同时，研讨团队将特别的碳化硅（SiC）外延层晶圆与氧化硅晶圆联合，经由过程磨削跟抛光技巧将碳化硅层减薄到200纳米。随后，研讨团队应用离子注入技巧，在碳化硅层中引入双空位自旋，并经由过程光磁共振（ODMR）技巧验证了自旋相干特征。据悉，在碳化硅中，约有1.1%的碳原子跟4.7%的硅原子存在核自旋。宋清海先容：“咱们胜利辨认了一种特定范例的碳化硅量子缺点，发明核自旋与电子自旋之间的强耦合可能实现疾速的量子操纵。”这些发明为碳化硅片上集成的光量子信息处置供给了主要基本。另悉，研讨团队将这种电子-核胶葛量子存放器集成到光波导中后，在波导中胜利实现了濒临100%的核自旋极化，并制备出最年夜胶葛贝尔态，经由过程量子态层析丈量胶葛保真度为0.89。周宇表现，该试验成果标明，量子存放器的光发射跟自旋在集成后坚持稳固，胶葛也可能稳固坚持在室温的光波导中。 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->